存储芯片巨头联手发布

时间：2026-08-05来源：全球有机硅网

全球有机硅网8月5日讯：据韩联社4日报道，韩国芯片巨头SK海力士当天宣布，公司联手美国闪迪公司共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。闪迪也通过公司官网发布了这一消息。据悉，当地时间4日至6日，美国加利福尼亚州将举办2026全球闪存峰会。SK海力士计划在峰会期间发表主题演讲并参与圆桌论坛，介绍HBF作为破解AI时代内存瓶颈的关键技术。HBF是介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘之间的新型存储层级，该技术兼具接近HBM的高速数据传输能力，同时依托NAND闪存技术实现存储容量大幅扩容。此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。

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