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B1级硅烷自交联低烟无卤绝缘料专利

时间:2024-04-08来源:全球有机硅网

全球有机硅网4月8日讯:据国家知识产权局公告,金发科技股份有限公司申请一项名为“一种B1级硅烷自交联低烟无卤绝缘料及其制备方法和应用”,公开号CN117757176A,申请日期为2023年11月。


专利摘要显示,本发明公开了一种B1级硅烷自交联低烟无卤绝缘料及其制备方法和应用。所述低烟无卤绝缘料,以重量份计,包括A料50‑70份;B料30‑50份;其中A料按重量份计,包括以下组分:聚乙烯0‑10份、增韧剂20‑40份、氢氧化镁80‑120份、协效阻燃剂20‑30份、催化助剂1‑5份、抗氧剂1‑5份、加工助剂1‑5份;其中B料按重量份计,包括以下组分:引发剂母粒5‑10份、无机填充粉体80‑120份、增韧剂20‑40份、抗氧剂1‑5份、加工助剂1‑5份;B料中引发剂母粒按重量份计,包括如下组分:聚乙烯10‑30份、增韧剂30‑50份、硅烷类偶联剂1‑5份。本发明的低烟无卤自交联绝缘料所得B1级电线缆机械性能良好,并且阻燃性能可以达到B1级。


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B1级硅烷自交联低烟无卤绝缘料专利

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