时间：2024-04-10来源:全球有机硅网
全球有机硅网4月10日讯：据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于形成薄层的方法和设备”，授权公告号CN110047732B，申请日期为2018年12月。专利摘要显示，公开了用于形成薄层的方法和设备。用于形成薄层的方法包括:提供包括图案的基底;在基底上形成结合层，结合层覆盖图案之间的间隙的内表面;在结合层上形成填充间隙的预备层;以及对预备层进行热处理以形成薄层。结合层是使用有机硅烷单体形成的自组装单体层。预备层由包括聚硅的可流动的组合物形成。
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